变频器启动电阻的选用，变频器预充电电阻选用-ag娱乐电子

在短工夫内，并联的两个自我防护式充电电阻器与外界到达热均衡，同时由于PTC陶瓷的高电阻值，吸取的能量仅有稍微上升。终极发生的能量吸取与图7所示相似。

上述妨碍——电容器在充电开端时产生短路——表现：充电电阻器上存在极高的负荷。因而，J201充电电阻器必要分外利用一个牢固电阻器有限短路电流。不外充电电阻器J202和J204的使用则无需利用牢固电阻器作任何分外掩护。

  主电路为电压型、交直交能量转换方法的变频器，因整流与逆变电路之间有大容量电容的储能回路，因电容两头电压不克不及渐变的特征，在上电初始阶段，电容器件形同“短路”，将构成极大的浪涌充电电流，会对整流模块很大的电流打击而破坏，也会使变频器供电端毗连的氛围断路器因过流而跳闸。

    惯例处置方法，是在整流和电容储能回路之间串入充电了限流电阻和充电打仗器（继电器），对电容充电历程的控制是如许的：

    变频器上电，先由充电电阻对电容举行限流充电，克制了最大充电电流，随着充电历程的延伸，电容上渐渐创建起充电电压，其电压幅值到达530V的80%左右时，呈现两种方法的控制历程，一为变频器的开关电源电路起振，由开关电源的24V输入间接驱动充电继电器，或由此继电器，接通充电打仗器的线圈供电回路，充电打仗器（继电器）闭合，当充电限流电阻短接，变频器进入待机事情形态。电容器上创建肯定电压后，其充电电流幅度大为低落，充电打仗器的闭合/切换电流并不是太大，今后储能电容回路与逆变电路的供电，由闭合的打仗器触点供应，充电电阻被打仗器常开触点所短接。二是随着电容上充电电压的创建，开关电源起振事情，CPU检测到由直流回路电压检检测电路送来电压幅度信号，判别储能电容的充电历程曾经终了，输入一个充电打仗器举措指令，充电打仗器得电闭合，电容上电充电历程完毕。

变频器罕见主电路情势及充电打仗器控制电路如下图：

    局部变频器及大功率变频器，整流电路常接纳三相半控桥的电路方法，即三相整流桥的下三臂为整流二极管，而上三臂接纳三只单向可控硅，用可控硅这种“无触点开关”，取代了充电打仗器。节流了安置空间，进步了电路的牢靠性。电路情势如下图所示：

   固然免却了充电打仗器，但事情原理照旧一样的，只不外控制电路有所差别。变频器上电时期，先由D1∽D6整流，R限流为C1、C2充电，在充电历程靠近完毕时，CPU输入SCR1∽SCR3三只可控硅的守旧指令，控制电路强迫三只可控硅导通，由D1、D2、D3、R组成的上电预充电回路利用作用，SCR1∽SCR3与D4、D5、D6组成三相整流桥，此时可控硅处于全导通形态下，等效于整流二极管。

    可控硅的守旧必要两个条件：1、阳极和阴极之间接受正向电压；2、K、G之间构成触发电流回路。电路接在交换输出电源的三个端子上，提供单向可控整流，在三相交换电的三个正半波电压作用时期，若触发电流同时构成，则三只可控硅就能被守旧。第一个条件曾经天然构成，控制其守旧只需提供第二个条件就可以了。

    复杂点说，只需在可控硅接受正向电压时期——在交换电压过零处，为可控硅提供一个触发电流（脉冲或直流均可），可控硅即可在交换电的正半波时期精良导通，对输出交换电压举行整流（同二极管一样）。最复杂的触发电路，是经一只电阻从阳级引入到G极，在交换电正半波时期（过零点后），为可控硅同步引入触发电流，使可控硅守旧。如东远300kW变频器，主电路情势同图三，而触发电路绝对复杂：

    图四为可控硅触发电路一电路之一，另两路触发电路是一样的。两控硅阳极、阴极两头并联的R45、C30、C31等元件为尖峰电压汲取网络，为可控硅提供过压掩护。KA2触点、D15、R44、24R构成触发电流畅路，D15的作用是将输出电压半波整流，制止可控硅G、K间接受反向触发电压/电流的打击，R44、24R为限流电阻，限定峰值触发电流，掩护可控硅的宁静，R43为PTC消噪电阻，增长可控硅事情的牢靠性。

    当CPU收回可控硅接通指令时，继电器KA2得电闭合，输出正半波电压，经D15整流，R44、24R限流，流入可控硅的G极，由K极流出，构成触发电流畅路，可控硅守旧。电路中的可控硅并不是处于调压的事情地区，导通角最大，处于“全导通整形态”，仿佛是一只开关器件，只处于导通和停止两个形态，没有移相（调压）第三种形态。这是必要留意的地方。因此控制电路与惯例移相控制电路有所差别，绝对复杂一些。

    再稍庞大一点的可控硅控制电路，如台达37kW变频器可控硅的触发电路，见下图：

  由开关电源的一个独立的供电绕组整流滤波后，作为可控硅触发电路的供电电源。控制电路由NE555时基电路、DPH2、DQ22、DQ3触发脉冲通/断电路，D、R三路触发流回路组成。开关电源事情后，NE555时基电路接成多谐振振荡器即得电事情，从3脚输入的振荡脉冲，能否送入后级三个触发回路，取决于CPU的指令控制。CPU的指令信号经过控制排线端子DJ8的24脚引入到光电耦合器DPH2的输出侧。当光耦输入侧三极管导通时，NE555振荡器的脉冲信号经三极管DQ22、DQ3送入后级D、R触发电路回路。在CPU收回可控硅守旧指令后，DPH2、DQ22、DQ3三器件不停处于导通形态，将触发脉冲不停加于三只可控硅的G、K上，峰值触发电流约为100mA。

    别的，在松下、富士小功率变频器机型中，还接纳另一情势的主电路布局，来完成对主电路电容器的初始充电控制，这是型号为7MBR35SD120一体化功率模块的外部电路布局图。电路见图六：

   电路的差别之处在于，在三相整流桥之后，增长了一只可控器器件，在端子21、26引脚上须并联充电电阻，在主回路电容上创建起肯定的充电电压后，从端子25、26输出触发电流，则可控硅导通，变频器进入待机事情形态。

    控制电路一样平常是由开关变压器的一个独立的24V绕组，获得控制电路的供电，以获得具有“悬浮地”的控制用电。控制电路多为一振荡电路，降价可控硅器件的脉冲触发电流，振荡电路也不是惯例的移相触发电路，而提供高频率/密度的随机触发脉冲，令可控硅处于全导通形态下，此处的可控硅，已高密度触发触冲作用下，已似乎一只“扳到接通地位”的开关了。这种机型的触发电路，手头并未有实践测绘电路，只能依据电路布局画出简图，以供参考。

变频器的主电路是给异步电念头提供调压调频电源的电力变更局部，变频器的主电路大要上可分为两类:

电压型是将电压源的直流变更为交换的变频器，直流回路的滤波是电容。

电流型是将电流源的直流变更为交换的变频器，其直流回路滤波是电感。它由三局部组成，将工频电源变更为直流功率的“整流器”，吸取在变流器和逆变器发生的电压脉动的“平波回路”，以及将直流功率变更为交换功率的“逆变器”。

现次要介绍电压型变频器布局及原理，电压型变频器主电路包罗：整流电路、两头直流电路、逆变电路三局部组，交-直-交型变频器布局见附图1

1）整流电路： VD1~VD6构成三相不行控整流桥，220V系列接纳单相全波整流桥电路；380V系列接纳桥式全波整流电路。

2）两头滤波电路：整流后的电压为脉动电压，必需加以滤波；滤波电容CF除滤波作用外，还在整流与逆变之间起去耦作用、消弭搅扰、进步功率要素，由于该大电容贮存能量，在断电的短工夫内电容两头存在高压电，因此要在电容充实放电后才可举行操纵。

3）限流电路：由于储能电容较大，接入电源时电容两头电压为零，因此在上电刹时滤波电容CF的充电电流很大，过大的电流会破坏整流桥二极管，为掩护整流桥上电刹时将充电电阻RL串入直流母线中以限定充电电流，当CF充电到肯定水平时由开关SL将RL短路。

4）逆变电路： 逆变管V1~V6构成逆变桥将直流电逆酿成频率、幅值都可调的交换电，是变频器的中心局部。常用逆变模块有：GTR、BJT、GTO、IGBT、IGCT等，一样平常都接纳模块化布局有2单位、4单位、6单位

5）续流二极管D1~D6：其次要作用为：

（1）电机绕组为理性具有无功重量，VD1~VD7为无功电流前往到直流电源提供通道

（2）当电机处于制动形态时，再生电流畅过VD1~VD7前往直流电路。

（3）V1~V6举行逆变历程是统一桥臂两个逆变管不绝地瓜代导通和停止，在换相历程中也必要D1~D6提供通路。

6）缓冲电路

由于逆变管V1~V6每次由导通切换到停止形态的刹时，C极和E极间的电压将由近乎0V上升到直流电压值UD，这过高的电压增加率大概会破坏逆变管，吸取电容的作用即是低落V1~V6关断时的电压增加率。

7）制动单位

电机在加速时转子的转速将大概凌驾此时的同步转速（n=60f/P）而处于再生制动（发电）形态，拖动体系的动能将反应到直流电路中使直流母线（滤波电容两头）电压UD不停上升（即所说的泵升电压），如许变频器将会发生过压掩护，乃至大概破坏变频器，因此需将反应能量斲丧失，制动电阻便是用来斲丧这局部能量的。制动单位由开关管与驱动电路组成，其功效是用来控制流经RB的放电电流IB。

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